用于半导体装置的非活性防护环

摘要

本发明揭示一种形成于一半导体区域中之防护环，该半导体区域系一肖特基接面或肖特基二极体之部分。藉由将离子植入到该半导体接触层中，但未使该半导体接触层完全退火以形成一高阻抗区域来形成该防护环。该防护环可位于该层之边缘处，或者位于离该层之边缘一距离之处。在该层之顶部上形成一肖特基金属接点，且该肖特基接点之该等边缘系置放于该防护环之顶部上。