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发明名称
雷射二极体晶片,电射二极体以及雷射二极体晶片之制造方法
摘要
夹着p型覆盖层及p型包覆层之雷射二极体晶片的部并平行于劈开面的横方向之两侧部分系透过蚀刻被切除,从活性层端面之劈开面观看之p型覆盖层及p型包覆层的形状为山状。在被切除的部分上设置由烘烤液态氧化膜之氧化膜所构成的电流限制层。电流限制层的厚度随着从雷射二极体晶片的部分离而变大。
申请公布号
TW200633333
申请公布日期
2006.09.16
申请号
TW094134670
申请日期
2005.10.04
申请人
菲尼铁克半导体股份有限公司;今井勇次
发明人
今井勇次
分类号
H01S5/30;H01S5/34
主分类号
H01S5/30
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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