发明名称 覆晶接点(FCC)之功率元件封装
摘要 本发明系揭露一种包含、防护与提供电性接点给功率电晶体的功率元件封装。此功率元件封装包含有一以供直接无凸块依附于功率电晶体的顶面与底面引线架。功率电晶体依附于底面引线架上,如同一具有源极接触点与闸极接触点的覆晶直接无凸块依附于底面引线架上。功率电晶体具有一依附于顶面引线架之底面汲极接触点。顶面引线架更包含有一作为底面汲极电极的延伸部,其系与该底面引线架同侧。在一具体实施例中,透过施加超音波,功率元件封装更包含有一位于源极、闸极或汲极之元件金属与顶面或底面引线架间的接合层。在另一具体实施例中,作为直接无凸块依附该功率电晶体于该底面与该底面引线架上之传导环氧树脂层或者胶、焊锡胶、碳胶或者其它形式的附着媒介。
申请公布号 TW200633181 申请公布日期 2006.09.16
申请号 TW094146216 申请日期 2005.12.23
申请人 万里达半导体有限公司 发明人 孙明;刘凯;张晓天;何约瑟;罗礼雄
分类号 H01L23/495;H01L21/60;H01L23/31;H01L21/56 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 林火泉
主权项
地址 英属百慕达