钽氮化物膜之形成方法

摘要

〔课题〕提供藉由CVD法，形成C、N含有量低，Ta／N组成比高，做为确保和Cu膜密着性的障壁膜是有用的低阻抗之钽氮化物膜之方法。〔解决手段〕在成膜室内，导入在Ta元素的周围配位了N＝(R,R’)(R及R’系表示碳原子数1～6个的烷基，其各自可为相同的基也可为互异的基)而成之配位化合物所成之原料气体及含氧原子气体而令其在基板上反应，生成TaOxNy(R,R’)z，然后导入含H原子气体而形成富含钽之钽氮化物膜。又，将钽粒子藉由溅镀法打入至所得的膜中，使其更富含Ta。