| 摘要 |
一种半导体元件包含一半导体区(semiconductor region)、源极区(source region)与汲极区(drain region)、闸极绝缘薄膜(gate insulating film)以及闸电极(gate electrode)。前述半导体区具有一平面定向(001)。前述源极区与汲极区互相远离地形成于前述半导体区中，且一通道区(channel region)形成于前述源极区与汲极区之间的半导体区中。前述通道区之通道长度方向(channel length direction)是沿着前述半导体区之方向＜100＞而设定。在前述通道长度方向中产生张应力(tensile stress)。前述闸极绝缘薄膜形成于前述源极区与汲极区之间的半导体区上。前述闸电极形成于前述闸极绝缘薄膜上。 |
