半导体装置和其制造方法

摘要

本发明提供一种在制造主动矩阵型发光装置时，能够在比知更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在主动矩阵型发光装置的图素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极当成发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。