| 摘要 |
本发明揭示一种低功率磁阻性随机存取记忆体元件及其制造方法。在一具体实施例中，一磁阻性随机存取装置(100)具有一记忆体元件阵列(102)。各元件(102)包含一固定磁性部分(106)、一穿隧阻障部分(108)及一自由SAF结构(104)。该阵列具有一有限磁场程式化窗口Hwin，其由等式Hwin (〈Hsat〉–Nσsat)–(〈Hsw〉＋Nσsw)代表，其中〈Hsw〉为用于该阵列之一平均切换场，〈Hsat〉为用于该阵列之一平均饱和场，且用于各记忆体元件(102)之Hsw由等式Hsw代表，其中Hk代表一总各向异性，而HSAT代表用于各记忆体元件(102)之该自由SAF结构的一抗强磁性耦合饱和场。N系大于或等于1之一整数。用于各记忆体元件之Hk、HSAT及N系经选择，以便该阵列(100)需要低于一预定电流值之电流来操作。 |
