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经营范围
发明名称
电容元件制造方法、蚀刻方法
摘要
本发明系提供一种适合微细化的蚀刻技术。于以层积下部电极膜12、介电质膜13、和上部电极膜14的顺序之处理对象物5上形成无机质膜15,于基板10的表面上配置已被图案化的有机抗蚀剂膜20,在以有机抗蚀剂膜20做为遮罩,蚀刻无机质膜15、上部电极膜14、和介电质膜13之后,以蚀刻下部电极膜12的气体,除去有机抗蚀剂膜20,并且以已露出的无机质膜15作为遮罩,蚀刻下部电极膜12。由于不形成成为遮罩的膜,因此可以优良的精确度制作微细图案。
申请公布号
TW200633053
申请公布日期
2006.09.16
申请号
TW095102889
申请日期
2006.01.25
申请人
爱发科股份有限公司
发明人
小风丰;植田昌久;远藤光广;邹红罡
分类号
H01L21/3065;H01L29/00
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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