制造快闪记忆器装置之方法

摘要

一种用以制造所揭示之快闪记忆体装置之方法，其包含以下步骤：在一半导体基板之一区域上形成一堆叠闸极，在该堆叠闸极中，堆叠一穿遂介电膜、一用于一浮动闸极之多晶矽膜图案、一层间介电膜、一用于一控制闸极之多晶矽膜图案，及一金属膜；在该堆叠闸极之两侧处将一杂质离子植入该半导体基板中；及在包含该堆叠闸极之整个表面上形成一抗异常氧化膜。