非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，先于基底上依序形成穿隧介电层、电荷陷入层与阻挡介电层。接着，于阻挡介电层上形成垫导体层，且垫导体层中具有多个开口，开口曝露出阻挡介电层表面。之后，移除未被垫导体层覆盖的阻挡介电层、电荷陷入层、穿隧介电层与部分基底以形成多个沟渠。继之，于沟渠中填满介电层以形成多个沟渠隔离结构，再于垫导体层上形成导体层。接着，定义导体层与垫导体层以形成多个堆叠闸极结构。之后，移除未被堆叠闸极结构覆盖的阻挡介电层、电荷陷入层与穿隧介电层，然后再于各堆叠闸极结构两侧之基底中形成多个掺杂区。