超接合半导体装置结构及方法

摘要

在一项具体实施例中，一种电荷补偿区域系形成于半导体材料的本体中。一导电层系耦合至该电荷补偿层。在进一步的具体实施例中，该电荷补偿区域包含以相反导电率类型半导体层填充的沟渠。