半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及制造方法，其系不依形成于矽基板上之电晶体之导电型，而可提升迁移率者。本发明之半导体装置，具备：导电层，其包含经由绝缘层形成在矽基板上之金属，且具有应力变化区域，其系植入杂质而形成具有与其他区域不同的应力。