闸结构及其制造方法

摘要

本发明系一种闸结构及其制造方法，系一具有闸极的金属氧化物半导体(MOS)电晶体，该闸极依序包括一道绝缘层，一道金属矽化物层，一道导电封装材料层，和一道多晶矽层。