| 摘要 |
本发明之记忆体结构包括：第一导体(BL)；第二导体(WL)；连接至该第二导体(WL)之电阻式记忆体单元(130)；连接至该电阻式记忆体单元(130)及该第一导体(BL)之第一二极体(134)，该第一二极体(134)定位在从电阻式记忆体单元(130)至该第一导体(BL)之顺向方向；以及连接至该电阻式记忆体单元(130)及第一导(BL)之第二二极体(132)，该第二二极体(132)与该第一二极体(134)并联，且定位在从该电阻式记忆体单元(130)至该第一导体(BL)之反方向。该第一及第二二极体(134、132)具有不同的临界电压。 |
