具有垂直电晶体及沟槽电容器之记忆元件及其制造方法

摘要

一种具有垂直电晶体及沟槽电容器之记忆元件的制造方法。首先，提供具有沟槽之基底，沟槽电容器系设置于沟槽之下半部，且沟槽电容器包括上电极及围绕上电极之埋藏区。其后，形成牺牲层于部分沟槽侧壁。接下来，形成一顶部介电层于沟槽中，其中顶部介电层是隔绝垂直电晶体之闸极导电层及沟槽电容器用。垂直电晶体系经由埋藏区导体层之扩散到沟槽侧壁和基底接触。最后，移除牺牲层，并且同时移除部份顶部介电层。