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发明名称
记忆装置以及判断记忆单元之写入电流方法
摘要
一种判断记忆单元之写入电流之方法,包括提供第一参考电流至第一操作线以切换记忆单元至第一记忆状态;提供第二参考电流至跨越第一操作线之第二操作线以切换记忆单元至第二记忆状态;根据第一比例以及第一参考电流得到第一写入电流;根据第二比例以及第二参考电流得到第二写入电流;藉由提供第一写入电流至第一操作线以及提供第二写入电流至第二操作线以编程记忆单元。
申请公布号
TW200632905
申请公布日期
2006.09.16
申请号
TW095108126
申请日期
2006.03.10
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
宋弘政;徐德训
分类号
G11C11/15;G11C5/14
主分类号
G11C11/15
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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