制备高品质大尺寸碳化矽晶体之方法

摘要

本发明系一种在接种昇华系统中制造碳化矽之高品质块状单晶之方法中之改良。在第一具体态样中，该改良包含藉由将高浓度的氮原子并入初始一（1）毫米之晶体生长来降低生长晶体中大台阶之数目。