| 摘要 |
<p>Ein Verfahren ist anzugeben, mit dem Strukturen hergestellt werden können, die sowohl eine Grabenisolation als auch eine Trägerscheibenkontaktierung von SOI-Scheiben mit dicken aktiven Schichten ermöglichen und die mit wenigen Prozessschritten einfacher herstellbar sind. Dazu wird der elektrische Trägerscheibenkontakt gemeinsam mit dem Isolationsgrabens in einer SOI-Scheibe für integrierte Schaltungen mit hoch-sperrenden Bauelementen hergestellt. Es werden zwei Gräben, ein schmalerer für den Isolationsgraben (8) und ein breiterer für den Trägerscheibenkontakt (9) mittels einer Maskierungsschicht, die eine größere Dicke hat, als die vergrabene isolierende Oxidschicht (2), bis auf die vergrabene isolierende Oxidschicht (2) geätzt. Im breiteren Graben (9) bleibt an den Seitenwänden je ein Polysiliziumspacer (12) als Rest einer zuvor abgeschiedenen Polysiliziumschicht (11) bestehen. Durch eine Einstellung der Polysiliziumätzung wird erreicht, dass die Spacer (12) eine gewünschte Höhe erhalten. Zumindest das vergrabene Oxid (2;10) wird am Boden des breiteren Grabens (9) weggeätzt, so dass eine Restoxidschicht (13) auf der Oberfläche stehen bleibt. Die Abscheidung einer zweiten Verfüllschicht (14) mit einer elektrischen Leitfähigkeit verfüllt auch den breiteren Isolationsgraben (19).</p> |
