METHOD FOR FORMING SINGLE CRYSTAL C0BALT SILICIDE LAYER BY EPITAXIAL GROWTH, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME METHOD AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME,申请号KR20050016757-传众专利搜索

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发明名称	METHOD FOR FORMING SINGLE CRYSTAL C0BALT SILICIDE LAYER BY EPITAXIAL GROWTH, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME METHOD AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号	KR100623600(B1)	申请公布日期	2006.09.14
申请号	KR20050016757	申请日期	2005.02.28
申请人		发明人
分类号	H01L21/24;H01L21/205;H01L21/324	主分类号	H01L21/24
代理机构		代理人
主权项
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