发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer dünnen Magnesiumoxidschicht mittels Plasma-Oxidation |
摘要 |
Beschrieben wird ein Verfahren zum Herstellen von dünnen Magnesiumoxidschichten auf einem Substrat, wobei zunächst eine Schicht aus metallischem Magnesium auf dem Substrat aufgebracht und danach die Magnesiumschicht in eine Magnesiumoxidschicht durch Behandlung in einem Sauerstoffionen enthaltenden Plasma umgewandelt wird. Mit diesem Verfahren konnten insbesondere TMR-Schichtsysteme hergestellt werden, bei denen die isolierende Barriere- oder Zwischenschicht mit dem vorgenannten Verfahren hergestellt wird. Das beschriebene Verfahren ermöglicht sehr dünne Magnesiumoxidschichten mit geringen Dicken-Toleranzen.
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申请公布号 |
DE102005011414(A1) |
申请公布日期 |
2006.09.14 |
申请号 |
DE200510011414 |
申请日期 |
2005.03.11 |
申请人 |
SINGULUS TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
OCKER, BERTHOLD;MAAS, WOLFGANG;LANGER, JUERGEN |
分类号 |
C23C14/58;C23C16/56 |
主分类号 |
C23C14/58 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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