| 发明名称 | PIN开关管用硅外延片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种PIN开关管用硅外延片，它包括衬底和外延层，且外延层的浓度低于10<SUP>13</SUP>cm<SUP>－3</SUP>。本实用新型的硅外延片在其后的器件高温工艺中阻挡衬底的杂质向外延层扩散，最大限度的减少汽相自掺杂的影响，以减少过度区宽度，提高器件的击穿电压和降低饱和压降。同时在生长高阻薄层外延层时，可大大提高外延层电阻率和减少过度区宽度，特别对PIN开关二极管用，可降低插损，提高开关速度。 | ||
| 申请公布号 | CN2817075Y | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200520071427.7 | 申请日期 | 2005.05.10 |
| 申请人 | 南京国盛电子有限公司 | 发明人 | 马林宝 |
| 分类号 | H01L29/02(2006.01);H01L29/36(2006.01);H01L29/868(2006.01) | 主分类号 | H01L29/02(2006.01) |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 张苏沛 |
| 主权项 | 1、一种PIN开关管用硅外延片，其特征在于：它包括衬底(1)与外延层(2)。 | ||
| 地址 | 210038江苏省南京市经济技术开发区兴文路8号 | ||