| 发明名称 | NAND闪存装置及其编程方法 | ||
| 摘要 | 公开一种NAND闪存装置，该装置包括经由多条位线连接到页缓冲器的存储单元阵列。页缓冲器存储要在存储单元阵列中编程的输入数据。通过根据输入数据为多条位线建立位线电压并将字线电压施加到存储单元阵列来编程存储单元阵列。通过将位线首先预充电到电源电压然后根据输入数据选择性放电位线来建立位线电压。顺序放电位线，即某些位线在其它位线放电之前放电。 | ||
| 申请公布号 | CN1832024A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200510135715.9 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李镇旭;张枰汶 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01);G11C7/12(2006.01);G11C16/06(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/24(2006.01) | 主分类号 | G11C7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 郭定辉;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种NAND闪存装置，包括连接到多条位线的存储单元阵列；页缓冲器，用于存储要在存储单元阵列中编程的输入数据，并经由多条位线连接到存储单元阵列；和连接到位线的位线设置电路，用于根据输入数据顺序放电位线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||