| 发明名称 | 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1275297C | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN03128623.2 | 申请日期 | 2003.04.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中川秀夫;笹子胜 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种低介电常数绝缘膜形成用材料，其特征在于：由含有微粒子、树脂和溶剂的溶液构成，所述微粒子主要由硅原子及氧原子构成，具有空穴，所述空穴的尺寸在0.5nm以上、3nm以下，所述微粒子的尺寸是1nm以上且30nm以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||