| 发明名称 | 电子元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造电子元件的方法，可以改善元件的耐久性而不会降低元件的最初性能。本发明的制造电子元件的方法包括：在第1电极上形成第1有机层的第1有机层形成步骤；和在第1有机层上形成第2有机层的第2有机层形成步骤，其中该方法还包括在第1有机层形成步骤之前加热第1电极的加热步骤，并且，该第1有机层形成步骤至少包括在该加热的第1电极上进行蒸镀以形成第1有机层的蒸镀步骤以及冷却该第1有机层的冷却步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1832221A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610009206.6 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 高谷格;木村俊秀 |
| 分类号 | H01L51/40(2006.01);H01L51/48(2006.01);H01L51/56(2006.01);H01L51/00(2006.01) | 主分类号 | H01L51/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 1.制造电子元件的方法，包括：在第1电极上形成第1有机层的第1有机层形成步骤；和在第1有机层上形成第2有机层的第2有机层形成步骤，其中该方法还包括在第1有机层形成步骤之前加热第1电极的加热步骤，并且，该第1有机层形成步骤包括在该加热的第1电极上进行蒸镀以形成第1有机层的蒸镀步骤以及冷却该第1有机层的冷却步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||