| 发明名称 | 光学微机电结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：(至少一个)光学透射层(UTL)；(至少一个)中间层结构(IL)；(至少一个)器件层(DL)，所述中间层结构(IL)限定了在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，所述中间结构层(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。 | ||
| 申请公布号 | CN1832899A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN03826880.9 | 申请日期 | 2003.06.06 |
| 申请人 | 亨斯迈先进材料（瑞士）有限公司 | 发明人 | J·T·拉夫恩基尔德;H·亨宁森 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01);B81B7/00(2006.01) | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种光学微机电结构(MEMS)，其包括：-至少一个光学透射层(UTL)；-至少一个中间层结构(IL)；-至少一个器件层(DL)；所述中间层结构(IL)有助于在所述实质光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的一个或多个光路(OP)，所述中间结构层(IL)限定了所述光学透射层(UTL)与所述器件层(DL)之间的距离(d)。 | ||
| 地址 | 瑞士巴塞尔 | ||