自行对准罩幕式只读存储器的制造方法

摘要

一种自行对准罩幕式只读存储器的制造方法，在基底上形成具有一栅极介电层、一栅极导体层、一栅极顶盖层的栅极堆栈，在该堆栈之间的基底中形成与栅极堆栈不相邻的复数个源极/漏极区。然后，依次在基底上形成第一介电层及具有复数个开口的图案化光阻层。以光阻层为罩幕，去除部分第一介电层及进行离子植入过程，形成复数个编码自行对准离子植入区块。去除光阻层，再进行一回蚀过程，暴露出栅极导体层及形成一字符线。

主权项

1.一种自行对准罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：该方法包括：提供一基底；在该基底上形成复数个栅极堆栈结构，该些栅极堆栈结构包括一栅极介电层、一栅极导体层以及一栅极顶盖层；在该些栅极堆栈结构的侧壁上形成复数个间隙壁；以该些间隙壁与该些栅极堆栈结构为罩幕，在该些栅极堆栈结构之间的该基底中形成复数个源极/漏极区，且该些间隙壁下方以及该些源极/漏极区与该些栅极堆栈结构之间具有复数个欲编码区域；在该基底上形成一第一介电层，以填满该些栅极堆栈结构之间的间隙；在该基底上形成一图案化的光阻层，该图案化的光阻层具有复数个开口，该些开口至少暴露出部分该些欲编码区域上方的该间隙壁；以该光阻层为罩幕，去除该些开口所裸露的该些间隙壁，以形成暴露部分该些欲编码区域的复数个离子植入区块开口；以该光阻层为罩幕，进行一离子植入过程，以在该些离子植入区块开口暴露的该些欲编码区域中形成复数个编码的自行对准离子植入区块；去除该光阻层；形成一第二介电层填满该些离子植入区块开口；去除部分该第二介电层、该栅极顶盖层，至少暴露该栅极导体层；在该栅极导体层上形成一字符线。