| 发明名称 | 绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法，采用本发明的方法制造的该芯片结构包含有：一单晶元件层，用来布局至少一绝缘层上覆硅元件；一埋入氧化层，位于该单晶元件层之下；一接地层，位于该埋入氧化层之下；以及一氧化层下元件，该埋入氧化层下元件是完全设置于该接地层，或部分设置于该接地层而部分设置于该埋入氧化层中；其中，该单晶元件层是由一第一晶片提供，而该接地层则是由一第二晶片提供，该第一晶片与该第二晶片是通过一晶片接合的方式彼此连接；本发明的芯片结构可方便大功率元件散热，可有效地对抗静电放电现象，亦可大幅度节省芯片布局面积。 | ||
| 申请公布号 | CN1275332C | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN03107427.8 | 申请日期 | 2003.03.20 |
| 申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 钱家錡;黄宏达 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01);H01L29/72(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/328(2006.01) | 主分类号 | H01L29/861(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种绝缘层上覆硅单晶芯片结构，包含有：一单晶元件层，用来布局至少一绝缘层上覆硅元件；一埋入氧化层，位于该单晶元件层之下；一接地层，位于该埋入氧化层之下；以及一氧化层下晶体管，该氧化层下晶体管是完全设置于该接地层，或部分设置于该接地层而部分设置于该埋入氧化层中，且该氧化层下晶体管的消耗功率大于该绝缘层上覆硅元件；其中，该单晶元件层是由一第一晶片提供，而该接地层则是由一第二晶片提供，该第一晶片与该第二晶片是通过一晶片接合的方式彼此连接。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县 | ||