| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置备有导通时的电容和截止时的电容不同的第一电容机构和第二电容机构。并且，通过使第一电容机构的一个电极的电位和第二电容机构的一个电极的电位从第一电位变为第二电位，来扩大输入到第一电容机构的另一电极的电位和输入到第二电容机构的另一电极的电位的电位差，以比较输入到第一电容机构的另一电极的电位和输入到第二电容机构的另一电极的电位。可以提高判断规定的输入电位比参考电位高还是低时的精度。 | ||
| 申请公布号 | CN1832021A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200510133835.5 | 申请日期 | 2005.12.21 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 山田光一 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01);G11C11/401(2006.01);G11C11/409(2006.01);H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | G11C7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其中具备导通时的电容和截止时的电容不同的第一电容机构和第二电容机构；通过使所述第一电容机构的一个电极的电位和所述第二电容机构的一个电极的电位从第一电位变为第二电位，从而扩大输入到所述第一电容机构的另一电极的电位和输入到所述第二电容机构的另一电极的电位的电位差，以比较输入到所述第一电容机构的另一电极的电位和输入到所述第二电容机构的另一电极的电位。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||