氮化物半导体元器件

摘要

本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。

主权项

1.一种氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的P导电侧半导体区域之间具有氮化物半导体所组成活性层，其特征在于，所述n导电侧半导体区域的至少一层氮化物半导体层是由组成上互异、n型杂质浓度上互异的、2元混晶或3元混晶的氮化物半导体的第一及第二氮化物半导体层所交替积层而成的n侧超格子层。