| 发明名称 | 高介电常数材料 | ||
| 摘要 | 电容器(10)包括衬底(12)和两个金属电极(14，18)。在电极之间形成介电层(16)。优选地，该介电层具有大于25的介电常数和对硅具有足够的导带偏移。提出的示例性实施方案使用以下材料体系：Hf<SUB>u</SUB>Ti<SUB>v</SUB>Ta<SUB>w</SUB>O<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB>、Hf<SUB>u</SUB>Ti<SUB>v</SUB>O<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB>、Ti<SUB>u</SUB>Sr<SUB>v</SUB>O<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB>、Ti<SUB>u</SUB>Al<SUB>v</SUB>O<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB>和Hf<SUB>u</SUB>Sr<SUB>v</SUB>O<SUB>x</SUB>N<SUB>y</SUB> (其中u、v、w、x和y是在介电叠层中元素的原子比例)。 | ||
| 申请公布号 | CN1832143A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610004005.7 | 申请日期 | 2006.01.06 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | S·戈文达拉詹 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;李连涛 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供半导体衬底；在该半导体衬底上形成厚度小于10nm的第一材料的第一层，该第一材料具有大于30的介电常数；在该半导体衬底上形成厚度小于10nm的第二材料的第二层，该第二材料对于硅具有大于1.5eV的导带偏移；在半导体衬底上形成厚度小于10nm的第一材料的第三层；和在半导体衬底上形成厚度小于10nm的第二材料的第四层，其中形成第一、第二、第三和第四层以由第一材料和第二材料的交替层形成电介质。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||