| 发明名称 | 外延生长法 | ||
| 摘要 | 一种外延生长方法，是采用分子束外延生长法形成具有III－V族系化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法，具备下述工序：照射至少一种以上的III族元素的分子束和第1V族元素的分子束，形成第1化合物半导体层的第1工序；停止上述III族元素的分子束和上述第1V族元素的分子束的照射，中断生长直到上述第1V族元素的供给量变为上述第1工序中的供给量的1/10以下的第2工序；和照射至少一种以上的III族元素的分子束和第2V族元素的分子束，在上述第1化合物半导体层上形成与上述第1化合物半导体不同的第2化合物半导体层的第3工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1833311A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200480020384.8 | 申请日期 | 2004.04.28 |
| 申请人 | 株式会社日矿材料 | 发明人 | 高草木操;金井进 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01) | 主分类号 | H01L21/203(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种外延生长方法，是采用分子束外延生长法形成具有III-V族系化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法，其特征在于，具备：照射至少一种以上的III族元素的分子束和第1V族元素的分子束，形成第1化合物半导体层的第1工序；停止上述III族元素的分子束和上述第1V族元素的分子束的照射，中断生长直到上述第1V族元素的供给量变为上述第1工序中的供给量的1/10以下的第2工序；和照射至少一种以上的III族元素的分子束和第2V族元素的分子束，在上述第1化合物半导体层上形成与上述第1化合物半导体不同的第2化合物半导体层的第3工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||