| 发明名称 | 软磁多层膜力敏传感器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种软磁多层膜力敏传感器及其制备方法，传感器中曲折型的软磁多层膜力敏器件由中间铜导电层、铜导电层外围包裹的软磁薄膜及软磁薄膜上的顶层保护层构成三明治结构，引脚从铜导电层引出，整个力敏器件位于硅悬臂梁上，硅悬臂梁与硅衬底相连。制备时首先对双面氧化的硅片进行处理，采用光刻技术得到双面套刻的对准符号，采用薄膜制备技术和微电镀技术制备软磁多层膜力敏器件，采用物理刻蚀技术去除底层，采用专用化学配方湿法刻蚀软磁多层膜材料，形成力敏传感元件，最后采用硅湿法刻蚀技术形成力敏传感器的微结构。本发明的力敏传感器具有高灵敏度，响应速度快，体积小，成本低的优点，便于实现集成化。 | ||
| 申请公布号 | CN1275028C | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200410067583.6 | 申请日期 | 2004.10.28 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 周勇;陈吉安;丁文;张亚民;高孝裕 |
| 分类号 | G01L1/12(2006.01);B81B7/02(2006.01) | 主分类号 | G01L1/12(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 毛翠莹 |
| 主权项 | 1、一种软磁多层膜力敏传感器，其特征在于由硅衬底(5)、引脚(4)、曲折型的软磁多层膜力敏器件和硅悬臂梁(7)组成，软磁多层膜力敏器件由中间的铜导电层(3)、铜导电层外围包裹的软磁薄膜(6)及软磁薄膜上的顶层保护层(2)构成三明治结构，中间铜导电层(3)的宽度小于软磁薄膜(6)的宽度，被软磁薄膜(6)完全包裹，引脚(4)从力敏器件两端的铜导电层(3)引出，整个曲折型的软磁多层膜力敏器件位于带SiO2层(1)的硅悬臂梁(7)上，硅悬臂梁(7)与硅衬底(5)相连。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||