制造闪存器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造闪存器件的方法。根据本发明，未掺杂多晶硅层形成在其中形成由浮置栅极和介电层的半导体衬底上。通过对该未掺杂多晶硅层施加N₂等离子体，形成了重掺杂多晶硅层。由于该N₂等离子体处理，在介电层和未掺杂多晶硅层之间的界面上形成氮层。在再氧化处理期间，通过减小磷和氧的扩散速度，可以防止介电层的厚度增加。此外，在后续工艺中，重掺杂多晶硅层的磷被扩散到未掺杂多晶硅层中，由此增加了未掺杂多晶硅层的磷的浓度。因此，可以通过增加控制栅的掺杂浓度来提高编程速度，而不用改变耦合率。

主权项

1、一种制造闪存器件的方法，包括：在半导体衬底的预定区域形成隧道氧化物层、浮置栅极层和介电层；在所述介电层上覆形成未掺杂多晶硅层；使用包括氮的等离子工艺在所述介电层上方形成氮层，所述氮层设置在所述未掺杂多晶硅层和所述介电层之间；在所述未掺杂多晶硅层上方形成掺杂多晶硅层；将所述掺杂多晶硅层热处理，通过将所述掺杂多晶硅层的杂质扩散到所述未掺杂多晶硅层中来将所述未掺杂多晶硅层转变为掺杂多晶硅层。