| 发明名称 |
水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种水基流延法制备集成电路氮化铝陶瓷基片的方法。主要技术特征是把经过磷酸处理的氮化铝粉末、烧结助剂和有机添加剂按照以下配方制备成浆料：氮化铝粉末40～60wt％；氧化钇0.5～2wt％；氧化镝1～3wt％；水10～20wt％；聚丙烯酸酯乳浊液0.2～1wt％；聚乙烯醇乳浊液20～40wt％；甘油2～5wt％。将配制好的氮化铝浆料流延成型制备成素坯膜，素坯膜经排胶、烧结制备成氮化铝基片。该方法制备基片成本低，无污染，所得的基片热导率高，表面平整，适合大规模工业生产。 |
| 申请公布号 |
CN1274638C |
申请公布日期 |
2006.09.13 |
| 申请号 |
CN200410016144.2 |
申请日期 |
2004.02.05 |
| 申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
雒晓军;张宝林;李文兰;庄汉锐 |
| 分类号 |
C04B35/581(2006.01);C04B35/622(2006.01);C04B35/64(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/581(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1、水基流延法制备氮化铝陶瓷基片的方法，包括以下步骤：(1)将经过磷酸处理的氮化铝粉末、烧结助剂和有机添加剂按照以下配方制备成浆料：经过磷酸处理的氮化铝粉末40～60wt％；氧化钇0.5～2wt％；氧化镝1～3wt％；水10～20wt％；聚丙烯酸酯乳浊液0.2～1wt％，浓度是30～60wt％；聚乙烯醇乳浊液20～40wt％，浓度是5～12wt％；甘油2～5wt％；(2)制备好的浆料流延成型、干燥、排胶、烧结、冷却后制得氮化铝基片。 |
| 地址 |
200050上海市定西路1295号 |
