| 发明名称 | 像素结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种像素结构的制作方法，其步骤包括利用一第一掩模于一基板上形成一源极/漏极；重复利用两次一第二掩模于基板上分别形成一透明导电层及一沟道层，其中透明导电层覆盖部分源极/漏极，并电性连接于源极/漏极，且透明导电层的图案与沟道层的图案成互补；在基板上形成一介电层，以覆盖透明导电层与沟道层；利用一第三掩模于介电层上形成一栅极。如此，像素结构具有较低的制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1832137A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610058229.6 | 申请日期 | 2006.02.24 |
| 申请人 | 广辉电子股份有限公司 | 发明人 | 李奕纬;朱庆云 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种像素结构的制作方法，包括：利用一第一掩模于一基板上形成一源极/漏极；重复利用两次一第二掩模于该基板上分别形成一透明导电层及一沟道层，其中该透明导电层覆盖部分该源极/漏极，并电性连接于该源极/漏极，且该透明导电层的图案与该沟道层的图案成互补；在该基板上形成一介电层，以覆盖该透明导电层与该沟道层；以及利用一第三掩模于该介电层上形成一栅极。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||