| 发明名称 | 一种向金属材料中引入氦的方法 | ||
| 摘要 | 一种向金属材料中引入氦的方法，其特征在于：采用溅射镀膜技术，在镀膜的同时，向沉积室引入低能氦离子束，氦离子束的能量介于100～1000eV。通过实施本发明的技术，较好地解决了向材料(膜材)中引入高浓度氦的问题。与传统方法相比，引入效率高，费用少，氦含量高。 | ||
| 申请公布号 | CN1274869C | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN03111695.7 | 申请日期 | 2003.05.16 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 刘实;王隆保;郑华;马爱华;于洪波;王贤艳 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01) | 主分类号 | C23C14/06(2006.01) |
| 代理机构 | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1、一种向金属材料中引入氦的方法，其特征在于：采用溅射镀膜技术，在镀膜的同时，向沉积室引入低能氦离子束，氦离子束的能量介于100～1000eV。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||