| 发明名称 | 硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于本发明属于半导体材料领域，涉及在半导体材料Si衬底上生长II-VI族薄膜的方法，是对II-VI族半导体薄膜生长方法的改进，本发明先在Si衬底上蒸镀一层ZnO薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ZnO缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法在处理过的ZnO/Si上生长II-VI族半导体材料。在Si上蒸镀ZnO，避免清除其表面的氧化层，蒸镀的ZnO层与Si表面的SiO<SUB>x</SUB>有较好的浸润性，得到二维层状生长。另外，经过退火处理的ZnO既可缓解由于Si与外延层之间由于晶格常数和热膨胀系数差异导致的晶格应力和热应力，还为得到取向较好的外延层提供了条件，将减少由于热应力导致的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1275336C | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN02144730.6 | 申请日期 | 2002.12.07 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 单崇新;范希武;张吉英;张振中;王晓华;吕有明;刘益春;申德振 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人 | 李恩庆 |
| 主权项 | 1、一种硅衬底上生长II-VI族材料薄膜的方法，其特征是先在Si衬底上用电子束蒸发的方法蒸镀一层ZnO薄膜，然后在氧气气氛下退火以得到取向较好的ZnO缓冲层，最后用金属有机物化学气相沉积的方法在退火后的ZnO缓冲层上生长II-VI族半导体材料；生长温度为350℃-425℃；生长压力为220mmHg-225mmHg；ZnO缓冲层厚度为0.8-1.0μm。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市人民大街140号 | ||