| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在为保护元件不受过电压影响而设置的N型扩散区域窄，击穿电流集中，保护用PN结区域被破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)和外延层(3)上形成有P型埋入扩散层(4)。N型埋入扩散层(5)与P型埋入扩散层(4)重叠形成，且在元件形成区域的下方形成有过电压保护用的PN结区域(19)。PN结区域(19)的击穿电压比源－漏极间的击穿电压低。根据该结构，可防止击穿电流集中在PN结区域(19)，且可由过电压保护半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1832174A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610004122.3 | 申请日期 | 2006.02.21 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 神田良;菊地修一;大竹诚治;畑博嗣 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/62(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，在半导体衬底上堆积多层外延层，并将所述外延层作为半导体元件的形成区域使用，其特征在于，在所述半导体元件的形成区域下方形成一导电类型埋入扩散层和形成到所述一导电类型埋入扩散层上的反导电类型埋入扩散层，所述一导电类型埋入扩散层和所述反导电类型埋入扩散层的第一接合区域的击穿电压比形成于所述半导体元件的电流经路中的第二接合区域的击穿电压低。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||