半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于得到一种在具备PT I结构的隔离绝缘膜的半导体装置中抑制衬底浮游效应、隔离特性和耐压提高了的半导体装置及其制造方法。其解决方法是在覆盖形成于半导体层的表面上的元件的上表面的层间绝缘膜之间形成氮化硅膜。

主权项

1.一种半导体装置，包括：SOI衬底，其包括半导体衬底，被整体设置以连续覆盖所述半导体的主表面的埋入绝缘膜，和在所述埋入绝缘膜的表面上设置的半导体层，所述半导体层具有在其主表面上提供的第一导电类型的第一有源区和第一导电类型的第二有源区；隔离绝缘膜，其形成在所述半导体层的所述主表面上的所述第一和第二有源区之间，留下第一半导体区，该第一半导体区是在所述隔离绝缘膜和所述衬底的所述表面之间的所述半导体层的一部分；形成在所述第一和第二有源区和所述隔离绝缘膜的表面上的氮化硅膜；形成在所述氮化硅膜的表面上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的至少一条布线；形成在彼此分开的所述第一有源区的所述半导体层的所述主表面上的第二导电类型的第一源区和漏区；形成在所述半导体层的所述主表面上的第一栅电极，第一栅绝缘膜在其间插入以与夹在所述第一源区和漏区之间的一个区相对；形成在所述第二有源区中的第一导电类型的第一杂质区，其通过在所述隔离绝缘膜下面的所述第一半导体区电连接夹在所述第一源区和漏区之间的所述区；和通过接触孔分别连接所述第一源区和漏区和所述第一杂质区的第一布线、第二布线和第三布线，该接触孔穿透所述层间绝缘膜和所述氮化硅膜形成。