| 发明名称 | 多芯片大功率发光二极管器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多芯片大功率发光二极管器件，是在金属基板或陶瓷基板或环氧树脂电路基板上制作与芯片数量对应的杯形槽，分别在杯形槽中封装多个发光二极管芯片，多个芯片直接串联，再与热敏电阻串联，形成串联电路，各个串联电路相互并联。本发明采用单组多芯片串联形式，以及将单组在并联的连接方式。为保证每一组电压和电流相同，在每个单组中串联一只热敏电阻来保持各个单组的电压相等，当二极管的PN结温度升高或降低时，热敏电阻也随温度的改变而往相反的方向变化，使得电路电压保持不变。 | ||
| 申请公布号 | CN1832168A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610033794.7 | 申请日期 | 2006.02.23 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 孙慧卿;范广涵;郭志友 |
| 分类号 | H01L25/16(2006.01);H01L25/00(2006.01) | 主分类号 | H01L25/16(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1、一种多芯片大功率发光二极管器件，其特征在于在金属基板或陶瓷基板或环氧树脂电路基板上制作与芯片数量对应的杯形槽，分别在杯形槽中封装多个发光二极管芯片，多个芯片直接串联，再与热敏电阻串联，形成串联电路，各个串联电路相互并联。 | ||
| 地址 | 510630广东省广州市天河区石牌 | ||