| 发明名称 | 半导体激光装置和光拾取装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光装置，由于半导体激光器(4)出射的激光偏振面通过从衬底面(4A)倾斜，可提高半导体激光器(4)的输出功率和可靠性。并且，由于使该半导体激光器(4)的装片面(17)对芯柱本体(1)的基准面(3)倾斜规定的倾斜角θ，能够使激光的偏振面成为大体与芯柱本体(1)的基准面(3)平行。因此，有助于光拾取装置的薄型化，能够实现制造容易的半导体激光装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1275367C | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN03145444.5 | 申请日期 | 2003.05.17 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 井上哲修 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);G11B7/125(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：具有固定面和基准面的基台，和半导体激光器，所述半导体激光器固定在所述基台的固定面上，所述固定面对所述基台的基准面倾斜规定的倾斜角，所述半导体激光器出射的激光偏振面，从所述半导体激光器的衬底面倾斜所述规定的倾斜角并成为与所述基台的基准面大体平行，或者，所述激光的偏振面相对于与所述衬底面垂直的面倾斜所述规定的倾斜角，大体垂直于所述基台的基准面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||