发明名称 |
降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法 |
摘要 |
本发明提供一种降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法。首先于一基板表面形成多个薄膜晶体管,接着于该多个薄膜晶体管表面依序形成一绝缘层以及一金属层,该金属层包含有一源极电极以及一漏极电极连接至各个薄膜晶体管,且该源极电极与该漏极电极之间包含有一沟道区。之后于该金属层以及该绝缘层表面覆盖一有机材料层,并且于该有机材料层表面形成一透明导电层。由于形成该有机材料层的过程中可以同步致密化该绝缘层,因此可以阻断该基板的漏电途径,降低其表面漏电流。 |
申请公布号 |
CN1275303C |
申请公布日期 |
2006.09.13 |
申请号 |
CN03123251.5 |
申请日期 |
2003.04.24 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
胡晋玮;陈坤宏 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/00(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1.一种降低薄膜晶体管基板表面漏电流的方法,该方法包含有下列步骤:于一基板表面形成多个薄膜晶体管;于该多个薄膜晶体管表面依序形成一绝缘层以及一金属层,该金属层包含有一源极电极以及一漏极电极连接至各个薄膜晶体管,且该源极电极与该漏极电极之间包含有一沟道区;于该金属层以及该绝缘层表面覆盖一有机材料层;于该有机材料层表面形成一连接至该金属层的透明导电层;以及其中,该方法于形成该有机材料层时包含有一透明化与固化热处理工艺。 |
地址 |
台湾省新竹市 |