Hemispherical-grained silicon top-gate electrode for improved soft-error immunity in SRAMs,申请号EP19960111963-传众专利搜索

发明名称	Hemispherical-grained silicon top-gate electrode for improved soft-error immunity in SRAMs
摘要
申请公布号	EP0821412(B1)	申请公布日期	2006.09.13
申请号	EP19960111963	申请日期	1996.07.24
申请人	UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION	发明人	SUN, SHIH-WEI
分类号	H01L27/11	主分类号	H01L27/11
代理机构		代理人
主权项
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