| 发明名称 | 表面氮化方法 | ||
| 摘要 | 提供一种在短处理时间内生成能够充分减小氧化硅薄膜与硅基板界面的氮浓度且提高氧化硅膜中的氮浓度、减少损伤的高品位的氧氮化硅薄膜的表面改质方法。在利用等离子体对被处理基体的表面进行改质的方法中，其特征在于，该方法具有以下将被处理基体的温度调节至200℃以上、400℃以下的步骤；向等离子体处理室内导入含有氮原子的气体或含有氮原子的气体与惰性气体的混合气的步骤；将上述等离子体处理室内的压力调节至13.3Pa以上的步骤；在上述等离子体处理室内生成等离子体的步骤；以及以10eV以下的能量使上述等离子体中的离子入射到上述被处理基体中的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1275295C | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200310115486.5 | 申请日期 | 2003.11.26 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 北川英夫;铃木伸昌;内山信三 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1.一种表面氮化方法，该方法是利用等离子体对被处理基体的表面进行氮化的方法，其特征在于，该方法中具有以下几个步骤：将被处理基体的温度调节至200℃以上、400℃以下的步骤；向等离子体处理室内导入含有氮原子的气体或含有氮原子的气体与惰性气体的混合气的步骤；将上述等离子体处理室内的压力调节至13.3Pa以上、399Pa以下的步骤；在上述等离子体处理室内生成等离子体的步骤；以及以10eV以下的能量使上述等离子体中的离子入射到上述被处理基体中的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||