| 发明名称 | 固态成像装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOS固态成像装置，其中MOS晶体管的耐压和1/f噪声得以改善。在该MOS固态成像装置中，它的单位像素至少包括光电转换部分和多个绝缘栅场效应晶体管，其中，在多个绝缘栅场效应晶体管中，在部分绝缘栅场效应晶体管中的栅极绝缘膜的厚度与至少部分其它绝缘栅场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。 | ||
| 申请公布号 | CN1832188A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610058934.6 | 申请日期 | 2006.03.08 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 高木贺子;森裕之 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种MOS型固态成像装置，包括：单位像素，至少包括光电转换部分和多个绝缘栅场效应晶体管，其中，在所述多个绝缘栅场效应晶体管中，在部分绝缘栅场效应晶体管中的栅极绝缘膜的厚度与至少部分其它绝缘栅场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||