发明名称 发光二极管
摘要 本发明涉及一种发光二极管(LED),该发光二极管包括阳极层、酸性空穴传导-注入材料层、发光聚合物层和阴极层,其特征在于该空穴-注入材料包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT),其通过使PEDOT与所含的或者钠化合物或钾化合物中所形成的阴离子至少部分中和而获得,且该发光材料包括发光对亚芳基亚乙烯基聚合物(PAV)。本发明还涉及用于增加所述发光二极管效率的方法。
申请公布号 CN1833323A 申请公布日期 2006.09.13
申请号 CN200480022428.0 申请日期 2004.07.29
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 M·M·德科克-范布里曼;M·比尔彻尔;S·H·P·M·德文得;S·I·E·武尔托
分类号 H01L51/50(2006.01);H01L51/54(2006.01);H01L51/56(2006.01) 主分类号 H01L51/50(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢新华;段晓玲
主权项 1.一种发光二极管(LED),该二极管包括阳极层、酸性空穴传导-注入材料层、发光聚合物层和阴极层,其特征在于所述空穴传导-注入材料包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT),其可以通过使PEDOT用包含或者形成自钠或钾化合物的阴离子至少部分中和获得,而发光材料包括发光的对亚芳基亚乙烯基聚合物(PAV)。
地址 荷兰艾恩德霍芬
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