发明名称 |
利用电子束制程增加界面附着性的方法 |
摘要 |
本发明揭示一种利用电子束制程增加界面附着性的方法。首先,在表面形成有一第一绝缘层的基底上形成一第二绝缘层。接着,对两绝缘层的界面实施一第一电子束制程(electron beam process)。之后,可在第二绝缘层上形成一第三绝缘层,且对两绝缘层的界面实施一第二电子束制程。再者,本发明揭示另一种利用电子束制程增加界面附着性的方法。首先,提供一基底,其上形成有一金属层或一介电层。接着,在金属层上形成一介电层,或在介电层上形成一金属层。之后,对金属层及介电层的界面实施一电子束制程。 |
申请公布号 |
CN1275298C |
申请公布日期 |
2006.09.13 |
申请号 |
CN03121242.5 |
申请日期 |
2003.03.28 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
包天一;章勋明 |
分类号 |
H01L21/3105(2006.01);H01L21/326(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3105(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李强 |
主权项 |
1.一种利用电子束制程增加界面附着性的方法,其特征在于包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一第一绝缘层;以及对该基底及该第一绝缘层的界面实施一第一电子束制程,使其产生固化作用。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |