| 主权项 |
1.一种制造一垂直电晶体的方法,包含下列步骤:(a)顺序形成一氮化物薄膜及一氧化物薄膜在一半导体基片上;(b)经由移除一预定部份的氧化物薄膜来形成一氧化物薄膜图样以曝露该氮化物薄膜的一部份;(c)用该氧化物薄膜图样作为罩幕以将离子植入半导体基片形成一源极区域;(d)形成一氧化物薄膜隔离区在该氧化物薄膜图样的侧壁上及使用该氧化物薄膜隔离区图样作为罩幕以选择地蚀刻该氮化物薄膜以形成一氮化物薄膜图样而曝露该基片;(e)生成含杂质的矽在曝露的基片上以超出该氧化物薄膜图样而形成一作为一通道的第一矽层;(f)选择地生长无杂质的矽层在该第一矽层上以形成蕈状第二矽层;(g)经由将离子植入第二矽层形成一汲极区域;(h)形成一氮化物隔离区在汲极区域的侧壁上;(i)移除氧化物薄膜图样及氧化物薄膜隔离区;(j)形成一闸极绝缘薄膜覆盖该第一矽层的侧壁及覆盖在汲极区域的表面下之曝露区域;(k)形成一多晶矽层在所形成之结构的整个表面上;及(1)平坦化多晶矽层以曝露汲极区域的顶端部份。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一源极区域的步骤另包含一热处理程序于植入程序之后。3.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一第一矽层的步骤系由一SEG(选择外延生长)方法所执行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一蕈状第二矽层的步骤是由一SEG方法所执行。5.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一氮化物隔离区的步骤包含形成一氮化物薄膜作为半导体基片的整个表面上的隔离区及蚀刻该氮化物薄膜作为隔离区。6.如申请专利范围第5项之方法,其中蚀刻该氮化物薄膜作为隔离区的步骤系由一乾蚀刻程序所执行。7.如申请专利范围第1项之方法,其中移除氧化物薄膜图样及氧化物薄膜隔离区的步骤是由使用HF及BOE(缓冲氧化物蚀刻剂)的湿式蚀刻程序所执行。8.如申请专利范围第1项之方法,其中执行一闸极绝缘薄膜的步骤是由一矽氧化程序所执行。9.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一多晶矽层的步骤是由一原地掺杂方法所执行。10.一种垂直电晶体,包含:一源极区域形成在一半导体基片上方;一汲极区域实质形成在源极区域上方;一垂直通道,通道一端接触源极区域及另端则接触汲极区域;及一闸极电极,形成在该基片上,环绕该通道的侧边及汲极区域,该闸极电极与源极区域经由其间的一氮化物图样所电气隔离,且由汲极区域的侧壁上形成的一氮化物隔离区与汲极区域隔离,及经由一覆盖通道的侧壁及覆盖在汲极区域的表面下之曝露区之闸极氧化物薄膜与通道隔离。图式简单说明:图1是表示根据本发明的一垂直电晶体的横剖面图;图2a-2k则是表示制造本发明的一垂直电晶体的一种方法的横剖面图。 |
