| 主权项 |
1.一种半导体制程,包括:于一基底上形成一图案化剥离光阻层,以定义一处理区域;于该基底上形成一类光阻钝化层,覆盖该图案化剥离光阻层;对该类光阻钝化层进行曝光显影制程,以暴露出该图案化剥离光阻层;以及去除该图案化剥离光阻层,以暴露出该处理区域。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中该剥离光阻层与该类光阻钝化层系互不相溶。3.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中该剥离光阻层与该类光阻钝化层系采用不同的显影剂。4.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中该类光阻钝化层之材质包括苯环丁烯。5.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中该类光阻钝化层为多层结构。6.如申请专利范围第1项所述之半导体制程,其中该基底具有异质接面双载子电晶体、发光二极体、半导体雷射二极体、垂直腔面雷射发光器、场效应电晶体以及光侦检侧器其中之一或其组合。7.一种双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,包括:提供一基底,该基底具有一集极、一基极与一射极;于该基底上形成一图案化剥离光阻层,以定义一区域,该区域暴露出部分该集极、该基极与该射极;于该基底上形成一类光阻钝化层,覆盖该图案化剥离光阻层;对该类光阻钝化层进行曝光显影制程,以暴露出该图案化剥离光阻层;去除该图案化剥离光阻层,以形成一接触窗开口,该接触窗开口暴露出该区域;以及形成多数条导线经由该接触窗口连接暴露出的该集极、该基极与该射极。8.如申请专利范围第7项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该剥离光阻层与该类光阻钝化层系互不相溶。9.如申请专利范围第7项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该剥离光阻层与该类光阻钝化层系采用不同的显影剂。10.如申请专利范围第7项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该类光阻钝化层之材质包括苯环丁烯。11.如申请专利范围第7项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中形成该图案化剥离光阻层之步骤包括:于该基底上形成一剥离光阻层;于该剥离光阻层上形成一罩幕层;以及以该罩幕层作为罩幕,对该剥离光阻层进行曝光显影制程。12.如申请专利范围第11项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该罩幕层与该剥离光阻层采用不同的显影剂。13.如申请专利范围第11项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中对该剥离光阻层进行曝光与显影制程后,更包括去除该罩幕层。14.如申请专利范围第11项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该剥离光阻层的厚度为0.5m至2.0m之间。15.如申请专利范围第11项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该类光阻钝化层为多层结构。16.如申请专利范围第11项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中形成该类光阻钝化层之方法系包括:进行一旋转涂布法;以及进行一软烤。17.如申请专利范围第16项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该旋转涂布法之条件包括:转速为500/4300 rpm;以及温度在70℃至90℃之间。18.如申请专利范围第16项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该类光阻钝化层的厚度为1.0m至2.0m之间。19.如申请专利范围第16项所述之双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的方法,其中该软烤所需时间为70至110秒。20.一种避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构的制造方法,包括:提供一基底,该基底具有一电容区域与一非电容区域;于该电容区域的该基底上形成一第一导体层,作为一电容结构的下电极;于该非电容区域的部分该基底上形成一剥离光阻层;于该基底上形成一类光阻钝化层覆盖该第一导体层;图案化该类光阻钝化层,以保留该第一导体层上的该类光阻钝化层作为该电容结构的介电层;除去该剥离光阻层;以及于该电容结构的该介电层上形成一第二导体层作为该电容结构的上电极。21.如申请专利范围第20项所述之避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构的制造方法,其中该类光阻钝化层与该剥离光阻层采用不同的显影剂。22.如申请专利范围第20项所述之避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构的制造方法,其中其中该类光阻钝化层与该剥离光阻层系互不相溶。23.如申请专利范围第20项所述之避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构的制造方法,其中形成该类光阻钝化层之方法系包括:进行一旋转涂布法;以及进行一软烤。24.如申请专利范围第23项所述之避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构的制造方法,其中该旋转涂布法之条件包括:转速为500/4300 rpm;以及温度在70℃至90℃之间。25.如申请专利范围第23项所述之避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构的制造方法,其中该类光阻钝化层的厚度为1.0m至2.0m之间。26.如申请专利范围第23项所述之避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构的制造方法,其中该剥离光阻层的厚度为0.5m至2.0m之间。图式简单说明:图1A至图1B为习知的一种双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的制造流程剖面图。图2A至图2B为习知的另一种双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的制造流程剖面图。图3A至3F系绘示依照本发明第一实施例之一种双极性电晶体制程中定义类光阻钝化层的制造流程俯税图及剖面图。图4A至4C系绘示依照本发明第二实施例之一种避免非电容区残留类光阻钝化层之电容结构制造流程剖面图。 |
