发明名称 适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方及其制备方法
摘要 本发明系揭示一种适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方及其制备方法,本发明之萤光材料以 BaMgAl10O17为主体晶格,添加或取代二价销离子(Eu2+)结构中,或同时掺杂二价铕离子与二价锰离子(Mn2+)于主体晶格,以电子束激发之,分别可得蓝色及蓝绿色之萤光,本发明之材料具光色纯、稳定性高等优点,改变掺杂元素之比例可调变萤光体之光色,此外,本发明所揭示的配方可利用多种合成方法制得单相之粉体,例如固态反应法、共沉淀法、凝胶法或微乳胶法,本发明之制造方法简易,易大量生产,所得成品具产业利用价值。
申请公布号 TWI261613 申请公布日期 2006.09.11
申请号 TW093108217 申请日期 2004.03.26
申请人 康玉贸易股份有限公司 发明人 刘如熹;康佳正;江慧宜
分类号 C09K11/00 主分类号 C09K11/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方,系以BaMgAl10O17为主体晶格,受低电压激发源激发可产生蓝色或蓝绿色之萤光,其中该BaMgAl10O17为主体晶格材料配方系为(Ba1-xEux)MgAl10O17或(Ba1-xEux)(Mg1-yMny)Al10O17,其中0.05≦x≦0.2与0.005≦y≦0.2,其系由共沉淀法、凝胶法或微乳胶法所形成。2.如申请专利范围第1项所述适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方,其中该低电压激发源系选自奈米碳管(carbon nanotube emitter;CNT)、表面传导电子源(surface conduction electron emitter;SED)、冲击式表面电子源(ballistic electron surface emitter;BSD)及金属绝缘体发射源(metal insulator metal emitter;MIM)等所成群之电子激发源。3.如申请专利范围第1项所述适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方,其中该激发源之电压≦1kV。4.一种用以制造如申请专利范围第1项所述适合低操作电压电子束激发之萤光粉体配方的制备方法,该BaMgAl10O17为主体晶格材料配方系藉由固态反应法合成,其包括下列之步骤:a.原料混合;b.烧结:需在还原气环境(混合氢气等之混合气体环境)中以温度1400-1800℃下进行预烧结6-24小时。5.如申请专利范围第4项之制备方法,其中该原料混合系形成(Ba1-xEux)MgAl10O17或(Ba1-xEux)(Mg1-yMny)Al10O17之配方,其中包括钡、铕、镁、锰与铝元素来源系选自其金属氧化物或其盐类,再于还原环境中进行烧结。6.如申请专利范围第5项之制备方法,其中,该钡化合物、铕化合物、镁化合物、锰化合物及铝化合物系由一种或多种化合物所组成。7.如申请专利范围第4项之制备方法,其中,最佳的烧结系于还原气环境、温度1400-1800℃下进行预烧结10-15小时。8.如申请专利范围第4项之制备方法,其中,另一最佳烧结系于还原气环境、温度1500-1700℃下进行预烧结10-15小时。9.如申请专利范围第4项之制备方法,其中,烧结时之还原环境系混合氢氮等之混合气体环境。10.如申请专利范围第4项之制备方法,其中,该BaMgAl10O17为主体晶格材料配方系藉由选自共沉淀法、凝胶法和微乳胶法的群组之一的制法形成。图式简单说明:第1图(a),系根据本发明之实施例所制备之(Ba1-xEux)MgAl10O17(x=0.1)样品之X光粉末绕射图谱。第1图(b),为根据本发明之实施例所制备之(Ba1-xEux)(Mg1-yMny)Al10O17(x=0.1,y=0.08)样品之X光粉末绕射图谱。第1图(c),为BaMgAl10O17之标准X光粉末绕射图谱。第2图,系根据本发明之实施例所制备之(a)为(Ba1-xEux)MgAl10O17(x = 0.1)与(b)为(Ba1-xEux)(Mg1-yMny)Al10O17(x=0.1,y=0.08)样品之光发射光谱图。第3图,系将(第2图)之光发射光谱标定于CIE色度座标图。
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